M
Mehmet
Misafir
Washington State Üniversitesi (WSU) ve North Carolina Üniversitesi Charlotte’taki araştırmacılar tarafından yapılan yeni bir çalışma, basınç altında önemli ölçüde dönüşüm geçiren katmanlı, esnek bir malzemenin, gelecekte bilgisayarların daha az enerji kullanarak daha fazla veri depolamasına yardımcı olabileceğini ortaya koydu. β-ZnTe(en)₀.₅ adı verilen bu hibrit malzeme, günümüz cihazlarındaki belleklerden farklı çalışan ve sürekli güç kaynağına ihtiyaç duymayan, ultra hızlı ve uzun ömürlü bir veri depolama türü olan faz değişimli bellek (Phase Change Memory – PCM) teknolojisi için güçlü bir aday olarak öne çıkıyor.
Çinko tellür (ZnTe) ve etilendiamin (en) olarak bilinen organik bir molekülün birbirini takip eden katmanlarından oluşan bu malzemenin yapısı, araştırmacılar tarafından seramik ve plastik katmanların üst üste dizildiği bir “sandviçe” benzetiliyor. Araştırmacılar, elmas örs hücresi adı verilen ve aşırı basınç uygulayabilen bir cihaz kullanarak, malzemenin nispeten düşük basınçlarda (2.1 ve 3.3 gigapaskal) iki kez faz geçişi yaşadığını ve bu geçişler sırasında yapısının %8’e varan oranlarda küçülerek önemli ölçüde değiştiğini gözlemledi.
Çalışmanın başyazarı olan WSU fizik doktora öğrencisi Julie Miller, faz geçişinin, bir malzemenin atomik düzeyde yapısını değiştirmesi anlamına geldiğini (tıpkı suyun buza veya buhara dönüşmesi gibi) açıklıyor. Bu çalışmada gözlemlenen durum, katı haldeki malzemenin atomlarının yeniden düzenlenerek daha yoğun bir yapıya geçmesiydi. Bu tür yapısal geçişler, bir malzemenin elektriği iletme veya ışık yayma gibi fiziksel özelliklerini kökten değiştirebilir. Farklı yapısal fazların genellikle farklı elektriksel ve optik özelliklere sahip olması nedeniyle, bilim insanları bu fazların dijital bilgiyi (0 ve 1’leri) kodlamak için kullanılabileceğini düşünüyor; bu da faz değişimli bellek (PCM) teknolojisinin arkasındaki temel prensiptir. Miller, “Bu tür malzemelerin çoğunun yapısını değiştirmek için çok yüksek basınçlar gerekirken, bu özel malzeme saf çinko tellürde normalde gördüğümüz basıncın yaklaşık onda birinde dönüşmeye başladı. Malzemeyi bu kadar ilginç kılan da bu düşük basınçta gösterdiği büyük etkiler,” diyor.
Bu önemli araştırma, WSU’nun 2022 yılında Murdock Charitable Trust vakfının desteğiyle edindiği 1 milyon doların üzerindeki yeni X-ışını kırınım sistemi sayesinde mümkün oldu. Bu özel ekipman, araştırmacıların elmas örs hücresi kullanarak uyguladıkları basınç altındaki malzemenin yapısında meydana gelen çok küçük değişiklikleri, deney anında ve doğrudan WSU Pullman kampüsünde gözlemlemelerine olanak tanıdı. Normalde bu tür hassas yüksek basınç deneyleri, genellikle Kaliforniya’daki Berkeley Ulusal Laboratuvarı’nda bulunan Gelişmiş Işık Kaynağı (Advanced Light Source) gibi büyük ulusal tesislerde zaman ayırmayı ve orada çalışmayı gerektiriyor. Çalışmanın ortak yazarı ve WSU fizik profesörü Matt McCluskey, “Bu yüksek basınç deneylerini doğrudan kampüsümüzde yapabilmek, bize süreçte neler olup bittiğini gerçekten derinlemesine anlama esnekliği sağladı,” şeklinde konuştu.
Araştırmacılar, malzemenin hangi yönden sıkıştırıldığına bağlı olarak çok farklı davranışlar sergilediğini de keşfettiler. Malzemenin bu yöne duyarlı özelliği, katmanlı yapısıyla birleştiğinde, onu daha hassas bir şekilde ayarlanabilir kılıyor ve farklı kullanım alanları için potansiyelini artırıyor. Bellek uygulamalarının yanı sıra, bu malzeme fotonik alanında da umut vadediyor. Fotonik, bilgiyi taşımak ve depolamak için elektrik yerine ışığın kullanıldığı bir teknoloji alanıdır. Malzemenin morötesi (UV) ışık yaydığı biliniyor ve araştırmacılar, malzemenin yaydığı bu ışığın renginin veya özelliklerinin, bulunduğu faza (yapısal duruma) bağlı olarak değişebileceğini düşünüyorlar. Bu özellik, malzemenin fiber optik iletişimde veya optik hesaplama gibi alanlarda da potansiyel olarak kullanılabilir olmasını sağlayabilir.
β-ZnTe(en)₀.₅’in ticari bir bellek malzemesi olarak kullanılması için henüz erken olduğu belirtilse de, bu keşif ileriye doğru atılmış önemli bir adımı temsil ediyor. Çalışmanın başyazarı Julie Miller, “Bu hibrit malzemelerin neler yapabileceğini daha yeni anlamaya başlıyoruz. Bu değişimleri doğrudan kampüsümüzdeki ekipmanlarla gözlemleyebilmemiz ise durumu daha da heyecan verici kılıyor,” dedi. Araştırma ekibi bir sonraki adımda, malzemenin sıcaklık değişimlerine nasıl tepki verdiğini incelemeyi ve hem basınç hem de ısı aynı anda uygulandığında neler olduğunu araştırmayı planlıyor. Bu çalışmalarla malzemenin davranışlarının ve potansiyelinin daha eksiksiz bir haritası çıkarılacak. Çalışma, ABD Enerji Bakanlığı tarafından finanse edildi ve sonuçları *AIP Advances* adlı bilimsel dergide yayınlandı.
Yeni Katmanlı Yarı İletken Malzeme Geleceğin Veri Depolama Teknolojilerine Umut Oldu yazısı ilk önce BeeTekno | Güncel Teknoloji Haberleri ve İncelemeler yayınlanmıştır.
Okumaya devam et...
Düşük Basınç Altında Yapısı Büyük Ölçüde Değişiyor
Çinko tellür (ZnTe) ve etilendiamin (en) olarak bilinen organik bir molekülün birbirini takip eden katmanlarından oluşan bu malzemenin yapısı, araştırmacılar tarafından seramik ve plastik katmanların üst üste dizildiği bir “sandviçe” benzetiliyor. Araştırmacılar, elmas örs hücresi adı verilen ve aşırı basınç uygulayabilen bir cihaz kullanarak, malzemenin nispeten düşük basınçlarda (2.1 ve 3.3 gigapaskal) iki kez faz geçişi yaşadığını ve bu geçişler sırasında yapısının %8’e varan oranlarda küçülerek önemli ölçüde değiştiğini gözlemledi.
Faz Değişimli Bellek Teknolojisine Kapı Aralıyor
Çalışmanın başyazarı olan WSU fizik doktora öğrencisi Julie Miller, faz geçişinin, bir malzemenin atomik düzeyde yapısını değiştirmesi anlamına geldiğini (tıpkı suyun buza veya buhara dönüşmesi gibi) açıklıyor. Bu çalışmada gözlemlenen durum, katı haldeki malzemenin atomlarının yeniden düzenlenerek daha yoğun bir yapıya geçmesiydi. Bu tür yapısal geçişler, bir malzemenin elektriği iletme veya ışık yayma gibi fiziksel özelliklerini kökten değiştirebilir. Farklı yapısal fazların genellikle farklı elektriksel ve optik özelliklere sahip olması nedeniyle, bilim insanları bu fazların dijital bilgiyi (0 ve 1’leri) kodlamak için kullanılabileceğini düşünüyor; bu da faz değişimli bellek (PCM) teknolojisinin arkasındaki temel prensiptir. Miller, “Bu tür malzemelerin çoğunun yapısını değiştirmek için çok yüksek basınçlar gerekirken, bu özel malzeme saf çinko tellürde normalde gördüğümüz basıncın yaklaşık onda birinde dönüşmeye başladı. Malzemeyi bu kadar ilginç kılan da bu düşük basınçta gösterdiği büyük etkiler,” diyor.
Yeni X-Işını Sistemi Kampüste Gözlem İmkanı Sağladı
Bu önemli araştırma, WSU’nun 2022 yılında Murdock Charitable Trust vakfının desteğiyle edindiği 1 milyon doların üzerindeki yeni X-ışını kırınım sistemi sayesinde mümkün oldu. Bu özel ekipman, araştırmacıların elmas örs hücresi kullanarak uyguladıkları basınç altındaki malzemenin yapısında meydana gelen çok küçük değişiklikleri, deney anında ve doğrudan WSU Pullman kampüsünde gözlemlemelerine olanak tanıdı. Normalde bu tür hassas yüksek basınç deneyleri, genellikle Kaliforniya’daki Berkeley Ulusal Laboratuvarı’nda bulunan Gelişmiş Işık Kaynağı (Advanced Light Source) gibi büyük ulusal tesislerde zaman ayırmayı ve orada çalışmayı gerektiriyor. Çalışmanın ortak yazarı ve WSU fizik profesörü Matt McCluskey, “Bu yüksek basınç deneylerini doğrudan kampüsümüzde yapabilmek, bize süreçte neler olup bittiğini gerçekten derinlemesine anlama esnekliği sağladı,” şeklinde konuştu.
Fotonik ve Diğer Alanlarda da Kullanılabilecek
Araştırmacılar, malzemenin hangi yönden sıkıştırıldığına bağlı olarak çok farklı davranışlar sergilediğini de keşfettiler. Malzemenin bu yöne duyarlı özelliği, katmanlı yapısıyla birleştiğinde, onu daha hassas bir şekilde ayarlanabilir kılıyor ve farklı kullanım alanları için potansiyelini artırıyor. Bellek uygulamalarının yanı sıra, bu malzeme fotonik alanında da umut vadediyor. Fotonik, bilgiyi taşımak ve depolamak için elektrik yerine ışığın kullanıldığı bir teknoloji alanıdır. Malzemenin morötesi (UV) ışık yaydığı biliniyor ve araştırmacılar, malzemenin yaydığı bu ışığın renginin veya özelliklerinin, bulunduğu faza (yapısal duruma) bağlı olarak değişebileceğini düşünüyorlar. Bu özellik, malzemenin fiber optik iletişimde veya optik hesaplama gibi alanlarda da potansiyel olarak kullanılabilir olmasını sağlayabilir.
Araştırmalar Devam Edecek
β-ZnTe(en)₀.₅’in ticari bir bellek malzemesi olarak kullanılması için henüz erken olduğu belirtilse de, bu keşif ileriye doğru atılmış önemli bir adımı temsil ediyor. Çalışmanın başyazarı Julie Miller, “Bu hibrit malzemelerin neler yapabileceğini daha yeni anlamaya başlıyoruz. Bu değişimleri doğrudan kampüsümüzdeki ekipmanlarla gözlemleyebilmemiz ise durumu daha da heyecan verici kılıyor,” dedi. Araştırma ekibi bir sonraki adımda, malzemenin sıcaklık değişimlerine nasıl tepki verdiğini incelemeyi ve hem basınç hem de ısı aynı anda uygulandığında neler olduğunu araştırmayı planlıyor. Bu çalışmalarla malzemenin davranışlarının ve potansiyelinin daha eksiksiz bir haritası çıkarılacak. Çalışma, ABD Enerji Bakanlığı tarafından finanse edildi ve sonuçları *AIP Advances* adlı bilimsel dergide yayınlandı.
Yeni Katmanlı Yarı İletken Malzeme Geleceğin Veri Depolama Teknolojilerine Umut Oldu yazısı ilk önce BeeTekno | Güncel Teknoloji Haberleri ve İncelemeler yayınlanmıştır.
Okumaya devam et...
