M
Mehmet
Misafir
Tokyo Üniversitesi’nden Satoru Nakatsuji liderliğindeki ve Johns Hopkins Üniversitesi’nden Collin Broholm’un da dahil olduğu uluslararası bir araştırma ekibi, fizikteki temel anlayışlara meydan okuyan bir keşfe imza attı. Ekip, eş doğrusal (collinear) bir antiferromıknatıs olarak sınıflandırılan özel bir malzemede, normalde mıknatıslanma (manyetizasyon) gerektiren Anormal Hall Etkisi’ni (AHE) gözlemledi. Daha da çarpıcı olanı, bu etkinin elektronların alışılagelmiş modellere göre etkileşmediği “Fermi-dışı sıvı” (non-Fermi liquid) adı verilen bir durumda ortaya çıkması. Bu bulgular, Anormal Hall Etkisi’nin yorumlanmasına yönelik mevcut çerçeveyi sorgulatmakla kalmıyor, aynı zamanda bilgi teknolojilerinde kullanılabilecek antiferromıknatıs yelpazesini de genişletiyor. Çalışma, Nature Communications dergisinde yayınlandı.
Elektronların “spin” adı verilen ve genellikle “yukarı” veya “aşağı” olarak tanımlanan içsel bir özelliği vardır. Ferromıknatıslarda (demir gibi mıknatıslanan malzemeler) spinler aynı yönde hizalanarak malzemeyi mıknatıslar. Bu mıknatıslanma, harici bir manyetik alan olmasa bile elektrik akımına dik bir voltaj oluşmasına yol açabilir; işte buna Anormal Hall Etkisi (AHE) denir. Buna karşılık, antiferromıknatıslarda spinler zıt yönlerde hizalanır ve birbirlerinin manyetik etkisini etkili bir şekilde sıfırlar, yani net bir mıknatıslanma olmaz. Dolayısıyla, teorik olarak antiferromıknatıslarda Anormal Hall Etkisi’nin ortaya çıkmaması beklenir. Ancak bu çalışmada tam tersi gözlemlendi. Baş araştırmacı Nakatsuji, “Daha önce belirli bir sınıftaki eş doğrusal antiferromıknatıslarda Anormal Hall Etkisi’nin ortaya çıktığına dair raporlar vardı. Ancak gözlemlenen sinyaller son derece zayıftı. Gerçekten mıknatıslanmasız bir Anormal Hall Etkisi belirlemek, geniş bilimsel ve teknolojik ilgi görüyordu,” dedi.
Bu keşif, farklı grupların koordinasyonunu gerektirdi. Araştırmacılar, deneyi gerçekleştirmek için geçiş metali dikalkojenitleri (TMD) adı verilen malzeme ailesini iki boyutlu (2D) yapı taşları olarak kullandılar. Atomik katmanlar arasına manyetik iyonlar yerleştirerek, elektronların hareketlerini ve etkileşimlerini kontrol edebildiler. Şimdi üç boyutlu (3D) olan bu değiştirilmiş yapı, sadece 2D’de mümkün olamayacak yeni davranışlar sergileme potansiyeline sahipti. Araştırmacılar, geniş bir sıcaklık ve manyetik alan aralığında Anormal Hall Etkisi ölçümleri yapabildiler. Ayrıca, Broholm’un grubu malzemenin eş doğrusal antiferromanyetik yapısını doğrulayan mikroskobik kanıtlar sundu. Sonuçlar daha sonra Tokyo Üniversitesi’nden Ryotaro Arita’nın grubunun yaptığı teorik analiz ve hesaplamalarla birleştirildi. Makalenin eş başyazarı Mingxuan Fu, “Araştırma projemizdeki ana zorluklardan biri, gözlemlerimizden tutarlı bir bilimsel anlatı oluşturmaktı. Özellikle TMD sistemlerinde yaygın olarak bulunan yapısal düzensizlik nedeniyle her adım dikkatli yorumlama gerektiriyordu,” dedi.
Elde edilen ölçüm, eş doğrusal antiferromıknatıslarda gözlemlenen Anormal Hall Etkisi için ilk güçlü deneysel kanıt niteliğinde. Anormal Hall Etkisi’nin genellikle mıknatıslanma ile el ele gittiği düşünüldüğünden, bu tespit standart anlayışın çok ötesinde bir şeylerin devrede olduğunu gösteriyor. Araştırmacılar, bu olgunun malzemenin benzersiz elektron bant yapısından kaynaklandığından, büyük bir “sanal manyetik alan” yaratarak mıknatıslanma olmadan Anormal Hall Etkisi’ni artırdığından şüpheleniyor. Bu durum, malzemenin elektronlarının beklendiği gibi davranmadığı “Fermi-dışı sıvı” haliyle de ilişkili olabilir.
Nakatsuji, sonraki adımları şöyle açıklıyor: “Bu hipotez için deneysel onay arıyoruz ve altta yatan mekanizmaları ortaya çıkarmak için Raman spektroskopisi de dahil olmak üzere tamamlayıcı teknikler kullanarak bir dizi takip çalışmasını aktif olarak sürdürüyoruz.” Bu keşif, temel fizik anlayışımızı genişletmenin yanı sıra, antiferromıknatısların gelecekteki bilgi teknolojilerinde, örneğin daha verimli bellek cihazlarında veya sensörlerde kullanılma potansiyelini de artırıyor. Mıknatıslanma olmadan Anormal Hall Etkisi gösterebilen malzemelerin bulunması, bu tür uygulamalar için yeni kapılar açabilir.
Bilim İnsanları Mıknatıslanma Olmadan Anormal Hall Etkisini Keşfetti yazısı ilk önce BeeTekno yayınlanmıştır.
Okumaya devam et...
Anormal Hall Etkisi Nedir ve Neden Şaşırtıcı?
Elektronların “spin” adı verilen ve genellikle “yukarı” veya “aşağı” olarak tanımlanan içsel bir özelliği vardır. Ferromıknatıslarda (demir gibi mıknatıslanan malzemeler) spinler aynı yönde hizalanarak malzemeyi mıknatıslar. Bu mıknatıslanma, harici bir manyetik alan olmasa bile elektrik akımına dik bir voltaj oluşmasına yol açabilir; işte buna Anormal Hall Etkisi (AHE) denir. Buna karşılık, antiferromıknatıslarda spinler zıt yönlerde hizalanır ve birbirlerinin manyetik etkisini etkili bir şekilde sıfırlar, yani net bir mıknatıslanma olmaz. Dolayısıyla, teorik olarak antiferromıknatıslarda Anormal Hall Etkisi’nin ortaya çıkmaması beklenir. Ancak bu çalışmada tam tersi gözlemlendi. Baş araştırmacı Nakatsuji, “Daha önce belirli bir sınıftaki eş doğrusal antiferromıknatıslarda Anormal Hall Etkisi’nin ortaya çıktığına dair raporlar vardı. Ancak gözlemlenen sinyaller son derece zayıftı. Gerçekten mıknatıslanmasız bir Anormal Hall Etkisi belirlemek, geniş bilimsel ve teknolojik ilgi görüyordu,” dedi.
Özel Malzeme Yapısı ve Disiplinlerarası İşbirliği Kullanıldı
Bu keşif, farklı grupların koordinasyonunu gerektirdi. Araştırmacılar, deneyi gerçekleştirmek için geçiş metali dikalkojenitleri (TMD) adı verilen malzeme ailesini iki boyutlu (2D) yapı taşları olarak kullandılar. Atomik katmanlar arasına manyetik iyonlar yerleştirerek, elektronların hareketlerini ve etkileşimlerini kontrol edebildiler. Şimdi üç boyutlu (3D) olan bu değiştirilmiş yapı, sadece 2D’de mümkün olamayacak yeni davranışlar sergileme potansiyeline sahipti. Araştırmacılar, geniş bir sıcaklık ve manyetik alan aralığında Anormal Hall Etkisi ölçümleri yapabildiler. Ayrıca, Broholm’un grubu malzemenin eş doğrusal antiferromanyetik yapısını doğrulayan mikroskobik kanıtlar sundu. Sonuçlar daha sonra Tokyo Üniversitesi’nden Ryotaro Arita’nın grubunun yaptığı teorik analiz ve hesaplamalarla birleştirildi. Makalenin eş başyazarı Mingxuan Fu, “Araştırma projemizdeki ana zorluklardan biri, gözlemlerimizden tutarlı bir bilimsel anlatı oluşturmaktı. Özellikle TMD sistemlerinde yaygın olarak bulunan yapısal düzensizlik nedeniyle her adım dikkatli yorumlama gerektiriyordu,” dedi.
Alışılmışın Dışında Bir Davranış Keşfedildi
Elde edilen ölçüm, eş doğrusal antiferromıknatıslarda gözlemlenen Anormal Hall Etkisi için ilk güçlü deneysel kanıt niteliğinde. Anormal Hall Etkisi’nin genellikle mıknatıslanma ile el ele gittiği düşünüldüğünden, bu tespit standart anlayışın çok ötesinde bir şeylerin devrede olduğunu gösteriyor. Araştırmacılar, bu olgunun malzemenin benzersiz elektron bant yapısından kaynaklandığından, büyük bir “sanal manyetik alan” yaratarak mıknatıslanma olmadan Anormal Hall Etkisi’ni artırdığından şüpheleniyor. Bu durum, malzemenin elektronlarının beklendiği gibi davranmadığı “Fermi-dışı sıvı” haliyle de ilişkili olabilir.
Gelecekteki Adımlar ve Potansiyel Uygulamalar Belirlendi
Nakatsuji, sonraki adımları şöyle açıklıyor: “Bu hipotez için deneysel onay arıyoruz ve altta yatan mekanizmaları ortaya çıkarmak için Raman spektroskopisi de dahil olmak üzere tamamlayıcı teknikler kullanarak bir dizi takip çalışmasını aktif olarak sürdürüyoruz.” Bu keşif, temel fizik anlayışımızı genişletmenin yanı sıra, antiferromıknatısların gelecekteki bilgi teknolojilerinde, örneğin daha verimli bellek cihazlarında veya sensörlerde kullanılma potansiyelini de artırıyor. Mıknatıslanma olmadan Anormal Hall Etkisi gösterebilen malzemelerin bulunması, bu tür uygulamalar için yeni kapılar açabilir.
Bilim İnsanları Mıknatıslanma Olmadan Anormal Hall Etkisini Keşfetti yazısı ilk önce BeeTekno yayınlanmıştır.
Okumaya devam et...